Tato práce se věnuje modelování tenké vrstvy ZnO pomocí klasické molekulární dynamiky. Interakce mezi atomy je popsána pomocí metody empirického potenci- álu. Simulace probíhala za využití software LAMMPS. Na krystalický nebo amorfní substrát ZnO přilétaly jednotlivé atomy zinku a kyslíku. Byly sledovány vlastnosti vzniklých tenkých vrstev v závislosti na energii přilétajících atomů. Ukázalo se, že tento parametr má vliv především na homogenitu vzniklé vrstvy. Při vyšších energiích roste homogenita vrstvy, ale také roste počet defektů způsobených prora- žením rychlých atomů do vrstvy a substrátu. Struktura a růst tenkých vrstev se liší i v závislosti na typu substrátu.
Anotace v angličtině
This work deals with the modeling of ZnO thin film using classical molecular dy- namics. Interaction between atoms is described by the method of empirical poten- tial. The simulation was done using LAMMPS software. Individual zinc and oxygen atoms arrived on the ZnO crystalline or amorphous substrate. The properties of the resulting thin films were observed in dependence on the energy of the incoming atoms. This parameter has an impact on the homogeneity of the resulting layers. At higher energies, the homogeneity of the layer increases, but also the number of defects caused by puncture of fast atoms into the layer and substrate increa- ses. The structure and growth of the thin layers varies depending on the type of substrate.
Klíčová slova
zinek, kyslík, ZnO, wurtzite, amorfní substrát, krystalický substrát, tenká vrstva
Klíčová slova v angličtině
zinc, oxygen, ZnO, wurtzite, amorphous substrate, crystalline substrate, thin film
Rozsah průvodní práce
45
Jazyk
CZ
Anotace
Tato práce se věnuje modelování tenké vrstvy ZnO pomocí klasické molekulární dynamiky. Interakce mezi atomy je popsána pomocí metody empirického potenci- álu. Simulace probíhala za využití software LAMMPS. Na krystalický nebo amorfní substrát ZnO přilétaly jednotlivé atomy zinku a kyslíku. Byly sledovány vlastnosti vzniklých tenkých vrstev v závislosti na energii přilétajících atomů. Ukázalo se, že tento parametr má vliv především na homogenitu vzniklé vrstvy. Při vyšších energiích roste homogenita vrstvy, ale také roste počet defektů způsobených prora- žením rychlých atomů do vrstvy a substrátu. Struktura a růst tenkých vrstev se liší i v závislosti na typu substrátu.
Anotace v angličtině
This work deals with the modeling of ZnO thin film using classical molecular dy- namics. Interaction between atoms is described by the method of empirical poten- tial. The simulation was done using LAMMPS software. Individual zinc and oxygen atoms arrived on the ZnO crystalline or amorphous substrate. The properties of the resulting thin films were observed in dependence on the energy of the incoming atoms. This parameter has an impact on the homogeneity of the resulting layers. At higher energies, the homogeneity of the layer increases, but also the number of defects caused by puncture of fast atoms into the layer and substrate increa- ses. The structure and growth of the thin layers varies depending on the type of substrate.
Klíčová slova
zinek, kyslík, ZnO, wurtzite, amorfní substrát, krystalický substrát, tenká vrstva
Klíčová slova v angličtině
zinc, oxygen, ZnO, wurtzite, amorphous substrate, crystalline substrate, thin film
Zásady pro vypracování
Prostudovat literaturu zabývající se (i) empirickými interakčními potenciály popisujícími ZnO a (ii) modelováním růstu tenkých vrstev na atomární úrovni.
Zvládnout metodologii klasických výpočtů na atomární úrovni (molekulární dynamika využívající uvedené empirické potenciály).
Provést simulace růstu tenkých vrstev ZnO v širokém rozsahu procesních parametrů.
Pokusit se o nalezení korelace mezi procesními parametry a strukturou rostoucích vrstev.
Zásady pro vypracování
Prostudovat literaturu zabývající se (i) empirickými interakčními potenciály popisujícími ZnO a (ii) modelováním růstu tenkých vrstev na atomární úrovni.
Zvládnout metodologii klasických výpočtů na atomární úrovni (molekulární dynamika využívající uvedené empirické potenciály).
Provést simulace růstu tenkých vrstev ZnO v širokém rozsahu procesních parametrů.
Pokusit se o nalezení korelace mezi procesními parametry a strukturou rostoucích vrstev.